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J-GLOBAL ID：201302288801283010   整理番号：13A1944183

スピンコーティング法によって合成されたCu₂SnS₃薄膜の構造,モルフォロジー及び光学的性質

Structural, morphological and optical properties of Cu₂SnS₃ thin film synthesized by spin coating technique

著者 (5件)： DAHMAN H. (Lab. of Physics of Materials and Nanomaterials Applied at Environment (LaPhyMNE), Fac. of Sciences, Gabes Univ. ...) ,  RABAOUI S. (Lab. of Physics of Materials and Nanomaterials Applied at Environment (LaPhyMNE), Fac. of Sciences, Gabes Univ. ...) ,  ALYAMANI A. (National Nanotechnology Res. Centre, KACST, Riyadh, Saudi Arabia) ,  EL MIR L. (Lab. of Physics of Materials and Nanomaterials Applied at Environment (LaPhyMNE), Fac. of Sciences, Gabes Univ. ...) ,  EL MIR L. (Al Imam Mohammad Ibn Saud Islamic Univ. (IMSIU), Coll. of Sciences, Dep. of Physics, Riyadh 11623, Saudi Arabia)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 101  ページ： 208-211  発行年： 2014年03月 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,厚さ約600nmのCu₂SnS₃薄膜をガラス基板上に1段階ゾル-ゲルスピンコーティング法により始めて作製に成功した。試料はX線回折(XRD),走査型電子顕微鏡(SEM),原子間力顕微鏡(AFM),UV-可視分光によって特性評価された。X線回折の結果は得られた層はCu₂SnS₃相からなっており,(112)優先配向を有する正方晶系(I-42m)構造を有することを示した。Scherrer公式で計算されたグレインサイズは約5nmであった。AFMとSEMによる研究は合成された薄膜は粗で,何らの可視的クラックや空孔の無いコンパクトであることを明らかにした。この薄膜は可視光領域で高い吸収率(2.88eVでα>5×10⁴cm^-1)を有し,直接バンドギャップは1.34eVであった。このことはこの材料を低コストで環境に優しい太陽電池のための良い候補とする。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *スピンコーティング ,  *スズ化合物 ,  *硫化物 ,  結晶構造 ,  モルフォロジー ,  *ゾル-ゲル法 ,  太陽電池 ,  *銅化合物 ,  基板 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  優先配向 ,  正方晶系 ,  *ナノ結晶 ,  *光吸収スペクトル ,  *光学ギャップ ,  ガラス基板

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： スピンコーティング法 ,  薄膜 ,  モルフォロジー ,  光学的性質