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J-GLOBAL ID：201302288812286267   整理番号：13A1277180

マイクロ構造の半導体中性子検出器の現在の状況

Present status of microstructured semiconductor neutron detectors

著者 (3件)： MCGREGOR Douglas S. (S.M.A.R.T. Lab., Dep. of Mechanical and Nuclear Engineering, Kansas State Univ., Manhattan, KS 66506, USA) ,  BELLINGER Steven L. (S.M.A.R.T. Lab., Dep. of Mechanical and Nuclear Engineering, Kansas State Univ., Manhattan, KS 66506, USA) ,  SHULTIS J. Kenneth (S.M.A.R.T. Lab., Dep. of Mechanical and Nuclear Engineering, Kansas State Univ., Manhattan, KS 66506, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 379  ページ： 99-110  発行年： 2013年09月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中性子反応材料で被覆された半導体ダイオード検出器は,何十年もの間,中性子検出器として研究されており,大部分ホウ素10(¹⁰B),リチウム-6フッ化物(⁶LiF)あるいはガドリニウム(Gd)で被覆された平面ダイオードとして作製されている。有効であるが,これらの検出器は,効率が限定されている(ホウ素及びLiFの被覆の場合)あるいは,中性子によって誘発される相互作用からバックグランド放射を区別する能力が限定されている(Gd被覆の場合)。過去10年間で,ダイオードの設計を改善するために新たな努力がなされ,単純な平面ダイオードの設計について中性子検出効率が10倍増加を達成した。これらの新しい半導体中性子検出器は,基板に深くエッチング後,中性子反応物質で埋め戻した微細構造パターンマトリクスを用いて作製される。40%を超える固有の熱中性子検出効率が5V未満での動作で,1mm以下の薄いデバイスで実現される。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ダイオード ,  *中性子検出器 ,  微細構造 ,  ホウ素同位体 ,  リチウム同位体 ,  フッ化リチウム ,  ガドリニウム ,  *被覆 ,  *検出効率 ,  エッチング ,  物質 ,  熱中性子 ,  バックグラウンド放射線
準シソーラス用語： ホウ素10 ,  ミクロ構造 ,  リチウム6 ,  中性子反応物質 ,  平面ダイオード

分類 (2件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (3件)： マイクロ構造 ,  中性子検出器 ,  状況