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J-GLOBAL ID:201302288825071278   整理番号:13A0084495

変調誘導熱プラズマを用いた炭素膜生成の変調波形依存性

Fabrication of Carbon Films Using Modulated Thermal Plasmas in Different Modulation Waveform.
著者 (6件):
資料名:
巻: PST-12  号: 107-118  ページ: 43-48  発行年: 2012年12月10日 
JST資料番号: Z0951A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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Si基板上への炭素膜生成過程を研究するため,Ar-CH4-H2混合PMITP(パルス変調誘導熱プラズマ)またはAMITP(任意波形変調誘導熱プラズマ)をSi基板に1時間照射し,基板表面をSEMで観察し,ダイヤモンド膜の堆積の様子を確認した。分光器を用いたPMITP及びAMITPの分光測定の結果では,変調を大きくすることにより,無変調と比較しC2分子及びH原子の発光強度が大きくなることを確認した。変調が大きいほど基板上にダイヤモンド粒子が細かく密に堆積した。
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分類 (1件):
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その他の無機化合物の薄膜 
物質索引 (1件):
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引用文献 (6件):
  • (1) T. Ishigaki, et al.: Technol.Advanced Master., 6, 111 (2005).
  • (2) M. Shigeta, et al.: J. Phys. D: Appl. Phys. 44 174025 (2011)
  • (3) Y. Tanaka, et al.: IEEE Trans. Plasma Sci., 35, pp. 197-203 (2007).
  • (4) Y. Tanaka, et al.: Appl.phys.Lett,90,071502(2007).
  • (5) Y. Tanaka, et al., Asia Pacific Conf. Plasma Sci. Technol. APCPST-10, OCC-08, 2010-039(2010)
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