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J-GLOBAL ID：201302288843249157   整理番号：13A0991418

電子ビーム照射で誘発された乱れによる化学蒸着成長グラフェンの構造や電気的な変化

The structural and electrical evolution of chemical vapor deposition grown graphene by electron beam irradiation induced disorder

著者 (4件)： IQBAL M.z. ,  KELEKCI O. ,  IQBAL M.w. ,  EOM Jonghwa
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 59  ページ： 366-371  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 750e^-/nm²まで徐々に増加する電子ビーム照射線量による化学蒸着成長単一層グラフェンデバイス中の欠陥の生成機構について調べた。RamanスペクトルのDピークの発展は,電子ビーム照射による強い格子混乱の証拠を提供する。特に,DとGピーク強度比(I_D/I_G)の軌道は,結晶からナノ結晶,次いで非晶質へのグラフェンの変化を示す。黒鉛質材料の非晶質化経路の現象論的モデルによって,欠陥パラメータを計算した。照射線量の漸増に従って,移動度は1200から80cm²/Vまで次第に低下して,照射グラフェン中の局在状態の生成を意味する。DiracポイントはN型ドーピングを示唆する負のゲート電圧に向かって移動する。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭素材 ,  蒸着膜 ,  化学蒸着 ,  電子照射 ,  乱れ ,  格子欠陥 ,  Ramanスペクトル ,  結晶度 ,  非晶質 ,  放射線量 ,  バンド構造 ,  *グラフェン

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子ビーム照射 ,  誘発 ,  乱れ ,  化学蒸着 ,  成長 ,  グラフェン