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J-GLOBAL ID：201302288864445266   整理番号：13A1499287

CoCr₂O₄スピネルを用いたトンネル磁気抵抗素子の作製

著者 (4件)： 楯和也 (北大 大学院総合化学院) ,  松田悠弥 (北大 大学院総合化学院) ,  長浜太郎 (北大 大学院工学研究院) ,  島田敏宏 (北大 大学院工学研究院)
資料名： 日本磁気学会学術講演概要集  (Abstracts. Annual Conference on Magnetics in Japan)
巻： 37th  ページ： 240  発行年： 2013年09月03日 
JST資料番号： Y0056A  ISSN： 1882-2959  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *スピネル型結晶 ,  *TMR素子 ,  酸化鉄 ,  被覆層 ,  拡散障壁 ,  バッファ層 ,  トンネル接合 ,  電流 ,  トンネル効果
準シソーラス用語： *トンネル磁気抵抗効果素子 ,  トンネル電流 ,  バリア層 ,  分子線エピタクシー ,  分子線エピタクシー成長

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： スピネル ,  トンネル磁気抵抗素子 ,  作製