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J-GLOBAL ID：201302288875177824   整理番号：13A1336928

ニッケル存在下におけるスカンジウムナノモル濃度の吸着ストリッピングボルタンメトリー定量に対する部分最小二乗回帰の応用

Application of a Partial Least Squares Regression for the Determination of Nanomolar Concentrations of Scandium in the Presence of Nickel by Adsorptive Stripping Voltammetry

著者 (3件)： JAKUBOWSKA Malgorzata (AGH Univ. Sci. and Technol., Krakow, POL) ,  PIECH Robert (AGH Univ. Sci. and Technol., Krakow, POL) ,  GORSKI Lukasz (AGH Univ. Sci. and Technol., Krakow, POL)
資料名： Electroanalysis  (Electroanalysis)
巻： 25  号： 7  ページ： 1727-1733  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： T0736A  ISSN： 1040-0397  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在,痕跡スカンジウムの高感度分析技術が要求されており,吸着ストリッピングボルタンメトリーが有力である。しかし,低濃度スカンジウム定量においては還元電位が近いニッケルが干渉となる。このため,本研究ではケモメトリックスの標準である部分最小二乗(PSL)回帰を用いて,多変量キャリブレーションモデルを構築し,痕跡スカンジウムの示差パルス吸着ストリッピングボルタンメトリー(DP AdSV)定量を行った。DP AdSV定量は水銀膜電極を用い,大過剰Ni(II)およびモルダントブルー9存在下で行った。データ前処理技術の利用も調べた。6つの潜在的変数を含むSc(III)モデルを構築した。モデルはバリデーション判定基準を満足し,良好な予測能力を示した。

シソーラス用語： *多重回帰分析 ,  *スカンジウム ,  ニッケル ,  *カソーディックストリッピングボルタンメトリー ,  *示差パルスボルタンメトリー ,  *痕跡分析 ,  ケモメトリックス ,  干渉 ,  誤差 ,  キャリブレーション ,  検証 ,  水銀電極 ,  膜電極
準シソーラス用語： *示差パルスカソーディックストリッピングボルタンメトリー ,  *部分最小二乗回帰 ,  平均自乗根誤差

分類 (3件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  統計的品質管理  (KB04030W) ,  無機化合物の電気分析  (CC05024D)

タイトルに関連する用語 (7件)： ニッケル ,  スカンジウム ,  モル濃度 ,  吸着ストリッピングボルタンメトリー ,  定量 ,  部分最小二乗回帰 ,  応用