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J-GLOBAL ID：201302288946292450   整理番号：13A0401866

単パルスドープ多層メモリスタにおける抵抗型スイッチングのチューニング

Tuning resistive switching on single-pulse doped multilayer memristors

著者 (14件)： SILES Pablo F (IFW Dresden, Dresden, DEU) ,  SILES Pablo F (TU Chemnitz, Chemnitz, DEU) ,  SILES Pablo F (LNLS, Campinas, BRA) ,  DE PAULI Muriel (LNLS, Campinas, BRA) ,  DE PAULI Muriel (Universidade Estadual de Campinas, SP, BRA) ,  BUFON Carlos Cesar Bof (IFW Dresden, Dresden, DEU) ,  BUFON Carlos Cesar Bof (LNNano, Campinas, BRA) ,  FERREIRA Sukarno O (LNLS, Campinas, BRA) ,  FERREIRA Sukarno O (Universidade Federal de Vicosa, Minas Gerais, BRA) ,  BETTINI Jefferson (LNLS, Campinas, BRA) ,  SCHMIDT Oliver G (IFW Dresden, Dresden, DEU) ,  SCHMIDT Oliver G (TU Chemnitz, Chemnitz, DEU) ,  MALACHIAS Angelo (LNLS, Campinas, BRA) ,  MALACHIAS Angelo (Universidade Federal de Minas Gerais, MG, BRA)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 24  号： 3  ページ： 035702,1-8  発行年： 2013年01月25日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい電子デバイス用材料として注目されている金属酸化物の応用の1つとしてメモリスタがある。TiO₂膜においてサブナノ秒の抵抗スイッチング現象が確認され,メモリスタとしての応用が期待されている。本報では,TiO₂メモリスタの特性向上を目指し,その製法として原子層堆積成長法(ALD:atomic layer deposition)をとり上げてTiO₂/Al₂O₃多層膜を検討した。表面に厚さ2nmのSiO₂膜を有するSi(001)基板上に,チタニウム-イソプロポキシドおよびトリメチル-アルミニウムを原料としてTiO₂とAl₂O₃を交互に積層して多層膜を形成し,XRR,XRD,TEMによって結晶相ならびに膜構造を分析し,電流-電圧特性,コンダクタンスなどの電気的特性を測定した。得られた主な結果は次の通りである。(1)Al₂O₃層の体積(Al濃度)が増すとスイッチングのためのバイアス電圧が高くなる。同時に,Al濃度はコンダクタンスの調整(チューニング)に重要な役割を果たす。(2)TiO₂/Al₂O₃多層膜において生ずる化学的変化を解明し,とくにアニール処理温度と結晶相との関係,および生成した結晶相が電気的特性に及ぼす影響を明らかにした。

シソーラス用語： 回路部品 ,  酸化チタン ,  *スイッチング素子 ,  化学蒸着 ,  酸化アルミニウム ,  *多層膜 ,  スイッチング ,  コンダクタンス ,  調整
準シソーラス用語： *メモリスタ ,  *原子層堆積 ,  *抵抗スイッチング ,  *二酸化チタン

分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルス ,  ドープ ,  多層 ,  メモリスタ ,  スイッチング ,  チューニング