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J-GLOBAL ID：201302288992114175   整理番号：13A1439812

ナノスケールのはんだ付の間のT,X,Y接合と位置づけされた単層カーボンナノチューブの分子動力学研究

Molecular dynamics study of the positioned single-walled carbon nanotubes with T-, X-, Y- junction during nanoscale soldering

著者 (5件)： CUI Jianlei (Key Lab. of Micro-systems and Micro-structures Manufacturing, Ministry of Education, Harbin Inst. of Technol. ...) ,  CUI Jianlei (School of Mechatronics Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN) ,  YANG Lijun (Key Lab. of Micro-systems and Micro-structures Manufacturing, Ministry of Education, Harbin Inst. of Technol. ...) ,  YANG Lijun (School of Mechatronics Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN) ,  WANG Yang (School of Mechatronics Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin 150001, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 284  ページ： 392-396  発行年： 2013年11月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノメータスケールへのエレクトロニクスデバイスの小型化は次世代の半導体技術にとって不可欠である。しかし,カーボンナノチューブ(CNT)の相互接続構造の決定はナノはんだ付プロセスで実験的に実施するのは困難であり,CNT間の動的展開を調べることは依然ナノスケールはんだ付けの間で欠けている。したがって,”T”,”Y”及び”X”接合と位置づけした単層カーボンナノチューブのナノスケールはんだ付を提案し,分子動力学シミュレーションにより示した。シミュレーションの結果として,堆積ナノ粒子の数が少ないとき,”T”及び”Y”接合のナノスケールはんだ付プロセスを銀ナノ粒子のその高い表面エネルギーによる大きな滴への溶融及びバンチングにより達成した。シミュレーション時間の増大とともにナノ滴のスプリッティング現象が相互接続構成に存在した。しかし,堆積ナノ粒子数が大きいとき,ナノマウンドはスプリッティング現象なしに交差X接合を完全に覆った。さらに,興味深い現象の主メカニズムを分析した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *分子動力学 ,  計算機シミュレーション ,  *相互接続 ,  ナノ構造 ,  ナノメータ加工 ,  *超小形回路技術 ,  *接合 ,  ナノ粒子 ,  銀 ,  *はんだ付
準シソーラス用語： *ナノ接合 ,  銀ナノ粒子

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  接続部品  (NA05050Z) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノスケール ,  はんだ付 ,  単層カーボンナノチューブ ,  分子動力学 ,  研究