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J-GLOBAL ID：201302289049826790   整理番号：13A1386573

有機薄膜トランジスタにおける使用のためのチオール-エン交差架橋システムによる電気的および熱的に安定なゲート誘電体

Electrically and thermally stable gate dielectrics from thiol-ene cross-linked systems for use in organic thin-film transistors

著者 (4件)： KO Jung Min (Inst. of Chemical Technol., Daejeon, KOR) ,  KANG Young Hun (Inst. of Chemical Technol., Daejeon, KOR) ,  LEE Changjin (Inst. of Chemical Technol., Daejeon, KOR) ,  CHO Song Yun (Inst. of Chemical Technol., Daejeon, KOR)
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 1  号： 18  ページ： 3091-3097  発行年： 2013年05月14日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機薄膜トランジスタのゲート誘電層に使用するために電気的および熱的に安定な誘電体層をトリアジンユニットおよび複数のチオール基を含む化合物の紫外線誘起交差架橋反応により合成した。この誘電層の表面は非常に滑らかで非常に高い絶縁性を示し,比較的高い誘電率を示した。また,空気中で300°Cの温度でも長期間の安定性を示した。本誘電体を用いた有機薄膜トランジスタをインクジェットおよびスピンコーティング法などにより作製して,その性能を検討して本化合物の長所を実証した。

シソーラス用語： *光架橋 ,  *薄膜トランジスタ ,  ポリビニルフェノール ,  層 ,  二酸化ケイ素 ,  誘電率 ,  熱安定性 ,  *窒素複素環化合物 ,  エン反応 ,  *メルカプト基 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： UV架橋 ,  *チオール-エン反応 ,  トリアジン化合物 ,  熱的安定性 ,  有機薄膜トランジスタ ,  誘電層

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機薄膜トランジスタ ,  チオール ,  交差 ,  架橋 ,  ゲート誘電体