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J-GLOBAL ID:201302289088393370   整理番号:13A1944355

ナノスクラッチしたグラフェン層におけるダングリングボンド誘起交差結合モデル

Dangling bond induced cross-linking model in nanoscratched graphene layers
著者 (4件):
資料名:
巻: 237  ページ: 230-233  発行年: 2013年12月25日 
JST資料番号: D0205C  ISSN: 0257-8972  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ナノスクラッチ時のグラフェン中間層におけるダングリングボンド誘起交差結合を分子動力学法でシミュレートした。74GPaの垂直応力は中間層グラフェンの6角リングを壊し,隣接層間のsp2あるいはsp3を容易に作る不安定なダングリングボンドを形成した。交差結合密度はスクラッチ深さと共に大きくなり,より高いスクラッチ硬度を引き起こした。最大スクラッチ硬度は90GPaであった。垂直応力が90GPa以下の時,交差結合はスクラッチ後可逆的で,それ以上では異なるグラフェン層からの原子がお互い混合されて非晶質を形成することでスクラッチ硬度を急激に低下させた。これらの結果は,グラフェン基材料の構造と機械的特性に対する洞察を与えた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
炭素とその化合物 

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