文献

J-GLOBAL ID：201302289220343531   整理番号：13A0283182

Ge(100)-2×1表面でのジメチルスルホキシドの解離吸着

Dissociative Adsorption of Dimethyl Sulfoxide at the Ge(100)-2 × 1 Surface

著者 (3件)： WONG Keith T. (Stanford Univ., California, USA) ,  CHOPRA Sonali N. (Stanford Univ., California, USA) ,  BENT Stacey F. (Stanford Univ., California, USA)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 50  ページ： 26422-26430  発行年： 2012年12月20日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲルマニウム(Ge)のデバイス中での電気特性を探求するために,Ge表面を不動態化する方法が注目されている。Ge-S結合生成による不動態化が効率的とされており,Ge表面での硫黄含有分子の吸着挙動が重要である。ここでは,FTIR,XPSおよびDFT計算を用いて,超真空下でGe(100)-2×1上でのジメチルスルホキシド(DMSO)の吸着について検討した。Ge(100)-2×1表面でDMSOの場合には2つの解離吸着が生じることが分った。即ち,S-C解離とS=O解離である。また,DMSOの反応性はスルホキシド結合の双極子性により大きな影響を受けることが分った。DMSOは共有結合的Ge-S結合は形成しないが,表面-結合メチル種の形成により新しいGe-C結合形成が可能になる。

シソーラス用語： *解離吸着 ,  脂肪族化合物 ,  *ゲルマニウム ,  不動態化 ,  吸着 ,  FTIR分光法 ,  X線光電子分光法 ,  密度汎関数法 ,  解離 ,  化学結合 ,  表面 ,  電気特性 ,  双極子 ,  反応性 ,  スルホキシド
準シソーラス用語： 結合形成

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  脂肪族スルホキシド・スルホン・スルホニウム  (CF03150Y)

物質索引 (1件)： ジメチルスルホキシド

タイトルに関連する用語 (3件)： Ge ,  ジメチルスルホキシド ,  解離吸着