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J-GLOBAL ID：201302289488007178   整理番号：13A0633008

GaAs/InAs半径方向ヘテロ構造ナノワイヤの形態制御 円筒状からコヒーレント量子ドット構造

Morphological control of GaAs/InAs radial heterostructure nanowires: From cylindrical to coherent quantum dot structure

著者 (8件)： GUO Jingwei (Lab. of Nano-Fabrication and Novel Devices Integrated Technol., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  HUANG Hui (Key Lab. of Liaoning for Integrated Circuits Technol., School of Electronic Sci. and Technol., Dalian Univ. of ...) ,  ZHANG Jianwei (Key Lab. of Liaoning for Integrated Circuits Technol., School of Electronic Sci. and Technol., Dalian Univ. of ...) ,  LI Xiaogan (Key Lab. of Liaoning for Integrated Circuits Technol., School of Electronic Sci. and Technol., Dalian Univ. of ...) ,  HUANG Yongqing (State Key Lab. of Information Photonics and Optical Communications, Beijing Univ. of Posts and Telecommunications ...) ,  REN Xiaomin (State Key Lab. of Information Photonics and Optical Communications, Beijing Univ. of Posts and Telecommunications ...) ,  JI Zhuoyu (Lab. of Nano-Fabrication and Novel Devices Integrated Technol., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  LIU Ming (Lab. of Nano-Fabrication and Novel Devices Integrated Technol., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 113  号： 11  ページ： 114301-114301-5  発行年： 2013年03月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *形状制御 ,  *ナノワイヤ ,  *素子構造 ,  *半径方向 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化インジウム ,  円筒 ,  コヒーレンス ,  量子ドット ,  階層構造 ,  成長因子 ,  中心 ,  円筒シェル ,  二次元 ,  三次元 ,  島状構造 ,  ナノ構造 ,  合体 ,  転位【結晶】 ,  格子不整合 ,  緩和現象 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： ナノリング ,  成長モード ,  *ヘテロ構造

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  InAs ,  半径方向 ,  ヘテロ構造 ,  ナノワイヤ ,  形態制御 ,  コヒーレント ,  量子ドット