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J-GLOBAL ID：201302289629548224   整理番号：13A0758422

Si基板上にモノリシック成長させたInAs/GaAsを基本とする量子ドット型レーザ

InAs/GaAs quantum-dot lasers monolithically grown on Si substrate

著者 (4件)： LIU Hyiyun (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  LEE Andrew (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  JIANG Qi (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  SEEDS Alwyn (Univ. Coll. London, London, GBR)
資料名： Annual Meeting of the IEEE Photonics Society  (Annual Meeting of the IEEE Photonics Society)
巻： 2012  ページ： 882-883  発行年： 2012年 
JST資料番号： T0931A  ISSN： 1092-8081  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重機能を持つプラットフォームにフォトニクスとエレクトロニクスの合併,即ち既存のSi基板上に作製されたオプトエレクトロニクス集積回路によって,従来の相補型金属-酸化物-半導体(CMOS)時代を超えて進歩する際のSiチップに関する結線の問題が解決される。過去30年に亘って,Siを基本とする素子における光の発生と変調技術が精力的に研究されてきたが,電気的励起によるSiレーザーのモノリシック成長が,Siフォトニクスに関する究極の問題であった。本稿では,Siをフォトニクスへ応用するために,Si上にモノリシック成長させたInAs/GaAsから成る量子ドット(QD)型レーザの開発研究の結果を報告する。Si基板上に成長させたInAs/GaAsの量子ドット型レーザ,Ge基板上に成長させたInAs/GaAsから成るQD型レーザ,およびGe/Si基板上に集積したInAs/GaAsのQD型レーザ素子の室温における1.3μm近傍の発光を実証し,これらの特性を評価した結果を示す。

シソーラス用語： 基板 ,  ケイ素 ,  一体構造 ,  ヒ化インジウム ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *半導体レーザ ,  量子ドット ,  ゲルマニウム ,  室温 ,  赤外レーザ ,  *量子ドットレーザ
準シソーラス用語： フォトニクス ,  モノリシック構造 ,  室温動作

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  成長 ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  レーザ