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J-GLOBAL ID:201302289985775430   整理番号:13A1894407

超音波噴霧熱分解によって成長したAlOxを持つ(p+nn+)Si太陽電池構造中のボロンドープp+-Siエミッタ不動態化

Passivation of boron-doped p+ -Si emitters in the (p+nn+ )Si solar cell structure with AlO x grown by ultrasonic spray pyrolysis
著者 (7件):
資料名:
巻: 98  号: Part C  ページ: 440-447  発行年: 2013年12月 
JST資料番号: E0099A  ISSN: 0038-092X  CODEN: SRENA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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AlOx/(p+nn+)Cz-Si/IFOとITO/AlOx/(p+nn+)Cz-Si/IFO太陽電池構造をnタイプCzochralski(Cz)シリコンウエハからp+-Siエミッタとn+-Si層夫々を作成するホウ素とリン拡散によって製作した。In2O3:F(IFO),AlOxと(ITO)フィルムは475°C,330°C,375°C夫々における超音波噴霧熱分解によって成長させた。AlOxフィルム厚みは27-108nmを変動し,メタノール中の2MH2O溶液蒸気を含むAr+5%O2雰囲気における330°Cのアニーリング時間-範囲0-18分,p+-Siエミッタのシート抵抗-範囲28-133Ω/□(沿層化学エッチングによって変化)。本研究は内部量子効率(IQE),この構造(IQEスペクトルの評価からの)の光電流JIQE,またそれらの光起電力と疑似曲線因子をSuns-Voc測定値から評価した。得られた結果はp+-Si不動態化レベルがAlOxフィルム厚みとアニーリング結果の増大と共に増加することを示した。このエミッタの最適シート抵抗は~65Ω/□であった。最適化ITO/AlOx/(p+nn+)Cz-Si/IFO構造の疑似効率は前面照射において20.2%であった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
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エネルギー変換装置  ,  太陽電池  ,  電池一般 

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