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J-GLOBAL ID：201302290019408240   整理番号：13A1117070

Al_2O_3超薄膜に埋込まれたNiナノ粒の歪分布

Strain distribution of Ni nanoparticles embedded in Al_2O_3 ultrathin film

著者 (4件)： Zhang QiuLong (School of Physics,Communication and Electronics,Jiangxi Normal Univ., Nanchang) ,  Jiang ZiXiong (School of Physics,Communication and Electronics,Jiangxi Normal Univ., Nanchang) ,  Yuan CaiLei (School of Physics,Communication and Electronics,Jiangxi Normal Univ., Nanchang) ,  Zhang ZhenRong (School of Computer,Electronics and Information,Guangxi Univ., Nanning)
資料名： Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue  (Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue)
巻： 42  号： 7  ページ： 711-715  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2586A  ISSN： 1674-7275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ナノ粒子埋込みホスト誘電体マトリックスにおいて,核形成と薄膜成長により実質的な歪が生まれる。歪場分布は,ナノ粒子の物理的特性において重要な役割を果たす。Al_2O_3の非晶質超薄膜に埋込まれたNiナノ粒子を,パルスレーザ蒸着と高速熱アニール法で作製した。高分解能透過型電子顕微鏡の結果から,三次形状を有する完全分離Niナノ粒子がAl_2O_3マトリックスに埋め込まれていることを明確化した。Al_2O_3マトリックスに埋込まれたNiナノ粒子の成長歪を研究した。有限要素計算から,Niナノ粒子がネット歪を誘起することを示した。Niナノ粒子の成長により大きなNiナノ粒子に大きなネット歪が誘起されて,歪がますます不均一になった。それはNiナノ粒子の構造と形態に影響した。歪エンジニアリングはNiナノ粒子の特性を調整するための効果的なツールである。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： レーザ蒸着 ,  パルスレーザ照射 ,  物理的性質 ,  焼なまし ,  *ナノ粒子 ,  核形成 ,  *ニッケル ,  歪分布 ,  *超薄膜 ,  *酸化アルミニウム ,  有限要素法 ,  マトリックス【母体】 ,  埋込み【挿入】 ,  誘電体薄膜 ,  薄膜成長 ,  非晶質 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： 非晶質薄膜

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 超薄膜 ,  Ni ,  歪分布