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J-GLOBAL ID：201302290299871285   整理番号：13A1101324

NPNバイポーラ効果とn+深井戸によるトライプ井戸CMOS技術における電荷共有に及ぼすその影響

NPN bipolar effect and its influence on charge sharing in a tripe well CMOS technology with n+ deep well

著者 (4件)： Liu Biwei (Computer School.National Univ. of Defense Technol., Changsha) ,  Chen Jianjun (Computer School.National Univ. of Defense Technol., Changsha) ,  Chen Shuming (Computer School.National Univ. of Defense Technol., Changsha) ,  Chi Yaqin (Computer School.National Univ. of Defense Technol., Changsha)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 61  号： 9  ページ： 096102-1-096102-7  発行年： 2012年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文で,著者らは立体TCADデバイスシミュレーションを通してn+深井戸によるトライプ井戸CMOS技術における重イオン放射線によって引き起こされた電荷共有収集を調査する。結果は,n+深井戸が寄生的NPNバイポーラトランジスタを引き起こすため,顕著にNMOS間の電荷共有が増すことを示した。強化因子は二重井戸技術におけるPNP双極性におけるそれの2-4倍である。その上,NPN双極性に及ぼすnウェル接触とpウェル接触の影響を研究する。結果は,装置へのpウェル接触面積の増加と距離の減少に従ってNPN双極性反応係数が減少するが,NPN双極性反応係数はnウェル接触面積の増加で増加するだろうことを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *電子技術 ,  電荷 ,  バイポーラトランジスタ ,  計算機システム ,  深井戸 ,  計算機シミュレーション ,  イオン放出 ,  重イオン ,  面積 ,  NMOS構造 ,  CAD【計算機】 ,  反応係数
準シソーラス用語： *CMOS技術 ,  電荷共有 ,  デバイスシミュレーション ,  イオン放射 ,  接触面積 ,  NMOS ,  TCAD

分類 (1件)： 数理物理学  (BA03000W)

タイトルに関連する用語 (5件)： バイポーラ ,  深井戸 ,  井戸 ,  CMOS技術 ,  電荷共有