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J-GLOBAL ID：201302290394216316   整理番号：13A1241643

および高速NPN SiGeヘテロ接合バイポーラトランジスターの設計と製造

Design and Fabrication of High Speed NPN SiGe Heterojunction Bipolar Transistor

著者 (8件)： Qian Wensheng (Hua Hong NEC Electronics Co.,Ltd., Shanghai) ,  Liu Donghua (Hua Hong NEC Electronics Co.,Ltd., Shanghai) ,  Chen Fan (Hua Hong NEC Electronics Co.,Ltd., Shanghai) ,  Chen Xiongbing (Hua Hong NEC Electronics Co.,Ltd., Shanghai) ,  Shi Jing (Hua Hong NEC Electronics Co.,Ltd., Shanghai) ,  Duan Wenting (Hua Hong NEC Electronics Co.,Ltd., Shanghai) ,  Hu Jun (Hua Hong NEC Electronics Co.,Ltd., Shanghai) ,  Huang Jingfeng (Hua Hong NEC Electronics Co.,Ltd., Shanghai)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 32  号： 5  ページ： 467-471  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： この論文は,0.18μm高速SiGe HBTの素子構造と製作プロセスを発表する。SiGeHBTのDCとRF特性を,典型的Ft=110GHz,BVCEZ=1.8Vとβ=270で分析する。SiGeHBTの性能に及ぼす種々のプロセス条件の影響を,移植したコレクタのドーピング,EPISiGeCベース及びポリシリコンエミッタと共にSiGeCベースの厚みを含めて,研究する。最適プロセス条件を示す。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *HBT【トランジスタ】 ,  バイポーラトランジスタ ,  半導体材料 ,  生産工程 ,  ポリシリコン ,  ドーピング ,  素子構造
準シソーラス用語： *ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  SiGe ,  製作プロセス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiGe ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスター ,  設計