文献
J-GLOBAL ID:201302290727435096   整理番号:13A0322294

Ag/Pd電極を有するドナードープPZTセラミックスタックの抵抗劣化:II 導電経路分布

Resistance degradation in donor-doped PZT ceramic stacks with Ag/Pd electrodes: II. Distribution of conduction paths
著者 (4件):
資料名:
巻: 33  号:ページ: 1165-1176  発行年: 2013年06月 
JST資料番号: E0801B  ISSN: 0955-2219  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
Ag/Pd内部電極を有するネオジウムドープPZT層は,250~1250Vの電場下420~520°Cでの分解後,金属的導電挙動を示した。この導電状態をインピーダンス分光で調べた。材料の機械的除去による深さプロファイリングから,セラミック層内部,恐らく粒界に沿った劣化領域内に導電経路の大きな不均一分布を明らかにした。劣化領域の厚さ(数十から数百μm)は分解時間とDC負荷と共に増加した。劣化領域の完全な機械的除去後,PZTが再び認められた。空間分解導電率測定(微小電極)と導電性原子間力顕微鏡(C-AFM)研究から,導電性の不均一と表面析出物の結合性に関するさらなる情報が得られた。従来の電気化学的なデンドライト形成とは大きく異なる機構による粒界に沿った銀経路の形成を示唆する機械的モデルを示した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
セラミック・磁器の性質 

前のページに戻る