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J-GLOBAL ID：201302290739951510   整理番号：13A1281955

ヘキシル修飾ケイ素ナノシートの幾何形状,電子構造および熱力学的安定度

Geometric and Electronic Structures as well as Thermodynamic Stability of Hexyl-Modified Silicon Nanosheet

著者 (9件)： LI Feng (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  LU Ruifeng (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  YAO Qiushi (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  KAN Erjun (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  LIU Yuzhen (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  WU Haiping (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  YUAN Yongbo (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  XIAO Chuanyun (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  DENG Kaiming (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 117  号： 25  ページ： 13283-13288  発行年： 2013年06月27日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,合成されたヘキシル修飾ケイ素ナノシート(Si-NS)は半導体であり,シリコン半導体工業に容易に応用できるという利点を有するため,幾何学的および電子的特性に関する原子レベルの研究が必要とされている。このため,密度汎関数法と分子動力学シミュレーションにより,ヘキシル修飾Si-NSの超格子モデルSi₈H₄(C₆H₁₃)₄の幾何学的安定性と電子特性を調べた。ヘキシル基の静電反発効果のため,最も安定な幾何学構造ではヘキシル基が規則的にシート両側に規則的に付加した。シート上のヘキシル基の周期は7.17Åであり,実験値に良く一致した。ヘキシル修飾Si-NSのエネルギーギャップはアルキル基の長さに感受性を示さなかったが,歪により連続的に変調できた。最も安定な構造は幾何学形状を1000Kまで維持した。

シソーラス用語： *有機ケイ素化合物 ,  *ナノ構造 ,  *膜 ,  計算機シミュレーション ,  密度汎関数法 ,  *電子構造 ,  分子構造 ,  バンド構造 ,  形態 ,  状態密度 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： 幾何形状 ,  分子動力学シミュレーション

分類 (1件)： 分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： ヘキシル ,  修飾 ,  ケイ素 ,  ナノシート ,  幾何形状 ,  電子構造 ,  熱力学的安定度