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J-GLOBAL ID：201302290749021570   整理番号：13A0766826

新しい交互界面中断法による対称的に急変しているGaN/AlGaN超格子

Symmetrically abrupt GaN/AlGaN superlattices by alternative interface-interruption scheme

著者 (6件)： CHEN Xiaohong (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  LIN Na (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  CAI Duanjun (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  ZHANG Yong (Xiamen Changelight Co., Ltd, Xiamen, CHN) ,  CHEN Hangyang (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  KANG Junyong (Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 28  号： 5  ページ： 716-722  発行年： 2013年03月14日 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN/AlGaNのヘテロ構造の半導体では2つの層の間の界面の状態が特性に大きく影響する。トリメチルガリウムとトリメチルアルミニウムとNH₃を原料とし,H₂とN₂をキャリアガスとして,GaN/AlGaNのヘテロ構造の積層材を作製する際には,GaNの井戸層の堆積段階からAlGaNの障壁層の堆積段階への切り換え,もしくはその逆の切り換えの際に,NH₃のみを流す「中断(interruption)」の期間がある。この「中断」の継続時間の影響を検討したところ,両層の界面の品質は「中断」の継続時間に大きく依存し,これが長くなると,GaNの蒸発によって平均のAl含有量の増加と井戸層の厚さの減少が起き,GaN/AlGaN超格子の界面が非対称になり,両層の界面の品質が低下することが判明した。そこで,この知見に基づいて,界面の品質を改善するための,交互界面中断法(alternative interface-interruption scheme)と称する新しい「中断」の方法を提案した。

シソーラス用語： 基板 ,  サファイア ,  *MOCVD ,  有機ガリウム化合物 ,  有機アルミニウム化合物 ,  アンモニア ,  水素 ,  窒素 ,  キャリアガス ,  *素子構造 ,  *ヘテロ接合 ,  *窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  積層構造 ,  割込み ,  界面 ,  *超格子
準シソーラス用語： *窒化アルミニウムガリウム ,  中断 ,  *ヘテロ構造

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

物質索引 (2件)： トリメチルアルミニウム ,  トリメチルガリウム

タイトルに関連する用語 (6件)： 界面 ,  中断 ,  急変 ,  GaN ,  AlGaN ,  超格子