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J-GLOBAL ID：201302290869278087   整理番号：13A1095781

Kaバンド広帯域低雑音増幅器用の65nm CMOS双ゲートデバイスと高精度直交電圧制御発振器

65-nm CMOS Dual-Gate Device for Ka-Band Broadband Low-Noise Amplifier and High-Accuracy Quadrature Voltage-Controlled Oscillator

著者 (7件)： CHANG Hong-Yeh (National Central Univ., Taoyuan, TWN) ,  LIN Chi-Hsien (National Central Univ., Taoyuan, TWN) ,  LIN Chi-Hsien (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC), Hsinchu, TWN) ,  LIU Yu-Cheng (National Central Univ., Taoyuan, TWN) ,  YEH Yeh-Liang (National Central Univ., Taoyuan, TWN) ,  CHEN Kevin (ITRI, Hsinchu, TWN) ,  WU Szu-Hsien (ITRI, Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 61  号： 6  ページ： 2402-2413  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 65nm CMOS技術による双ゲートデバイスを使った,2段構造の低雑音増幅器(low-noise amplifier: LNA)とbottom-series coupled直交電圧制御発振器(quadrature voltage-controlled oscillator: QVCO)を紹介した。小信号等価回路を使ってLNAの帯域幅を調べ,双ゲートデバイスQVCOの直交信号生成原理を述べた。提案した双ゲートデバイスは小さなチップ面積,小さな寄生キャパシタンス,低減した実効基板抵抗,及び融合した拡散活性域を特徴とする。2段双ゲートLNAの3dB帯域幅,最大利得,最低雑音指数,及び3次インターセプト点と,双ゲートQVCOの発振周波数,位相雑音,振幅誤差,位相誤差などの特性を述べた。提案した双ゲートCMOSデバイスは,特にミリ波応用に適している。

シソーラス用語： SHF【周波数】 ,  *マイクロ波 ,  広帯域 ,  *低雑音増幅器 ,  *CMOS構造 ,  ゲート【半導体】 ,  *VCO【発振器】 ,  *MMIC ,  等価回路 ,  レイアウト ,  縦続接続 ,  電流電圧特性 ,  S行列 ,  雑音指数 ,  小信号利得 ,  モンテカルロ法 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： Kaバンド ,  デュアルゲート ,  QVCO

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  発振回路  (NC05020Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： Kaバンド ,  広帯域 ,  低雑音増幅器 ,  CMOS ,  ゲート ,  電圧制御発振器