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J-GLOBAL ID：201302290933017063   整理番号：13A1589444

溶液を用いたZnOナノロッドからの高い再現性の抵抗スイッチング特性の観察

Observation of Highly Reproducible Resistive-Switching Behavior from Solution-Based ZnO Nanorods

著者 (7件)： SONG Min Yeong (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  SEO Yujeong (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Soyun (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Jae Hyuk (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  AN Ho-Myoung (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  AN Ho-Myoung (Osan Coll., Gyeonggi, KOR) ,  KIM Tae Geun (Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 13  号： 9  ページ： 6212-6215  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金基板上のゾルゲルシード層上に,スピンコーティング法によりZnOナノロッド層を成長させ,さらにその上に金の上部電極を蒸着した。この構成により,薄膜RRAMデバイスとしての性能を評価した。このZnOナノロッドによるデバイスは,垂直に形成されたフィラメント構造により,ZnO薄膜メモリに比較して,セットおよびリセット電圧の分布が狭く,また低電圧で動作した。また,このデバイスは7×10⁴s以上のメモリ保持時間を示し,また5×10³のセット/リセットサイクル後も安定であった。ZnOナノロッドを用いることでセット電圧を下げることができ,デバイスの信頼性を大きく改善することができた。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *ナノロッド ,  *RAM【メモリ】 ,  *スイッチング ,  *ゾル-ゲル法 ,  スピンコーティング ,  金 ,  MIM構造 ,  繰返し試験 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *RRAM ,  *酸化亜鉛ナノロッド ,  *抵抗スイッチング

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶液 ,  ZnOナノロッド ,  再現性 ,  スイッチング特性 ,  観察