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J-GLOBAL ID：201302290993456864   整理番号：13A0991869

スパッタ蒸着したZnTe膜の光電子特性への成長温度と熱アニーリングと窒素ドーピングの効果

Effect of growth temperature, thermal annealing and nitrogen doping on optoelectronic properties of sputter-deposited ZnTe films

著者 (1件)： RAKHSHANI A.e.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 536  ページ： 88-93  発行年： 2013年06月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テルル化亜鉛の薄膜を,マグネトロンスパッタリングによって種々の温度でガラス基板上に成長した。また,窒素をドープした膜を,種々のドーピングレベルで作製した。膜は,窒素の低圧で蒸着後熱アニーリングを受けた。膜構造と光学的及び電気的特性を,種々の手法を用いて研究した。結果は,膜が立方格子構造を持つナノサイズの粒(3-19nm)から構成されることを明らかにした。蒸着の間の粒成長は,108meVの活性化エネルギーで熱活性化した。価電子帯とまたスピン軌道価電子帯から成長後の膜に対するバンドギャップ欠陥準位又はアニーリング膜に対する伝導帯に起こる直接光学遷移が観測された。価電子帯分裂エネルギーは,0.82-1.10eVの範囲にあることが分かった。おそらく酸素不純物に関連する欠陥準位は,価電子帯端の1.77eV上に位置していた。焼きなましした膜のバンドギャップエネルギーは,2.13-2.20eVの範囲にあり,最適条件で窒素をドープした膜は,自由正孔濃度と移動度がそれぞれ2.9×10¹⁸cm^-3と1.4cm²V^-1s^-1を持っていた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *熱処理 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  *テルル化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  基板 ,  ガラス ,  *ドーピング ,  窒素 ,  *膜構造 ,  立方晶系 ,  ナノ粒子 ,  *欠陥準位 ,  *バンドギャップ ,  価電子バンド ,  光吸収スペクトル ,  *電気抵抗率
準シソーラス用語： 価電子帯

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： スパッタ蒸着 ,  ZnTe ,  光電子 ,  成長温度 ,  熱アニーリング ,  窒素ドーピング