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J-GLOBAL ID：201302291315913348   整理番号：13A0638349

3C-SiC上の大面積単分子層グラフェンの成長と他のSiCポリタイプとの比較

Growth of large area monolayer graphene on 3C-SiC and a comparison with other SiC polytypes

著者 (6件)： YAZDI G. Reza (Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-58183 Linkoeping, SWE) ,  VASILIAUSKAS Remigijus (Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-58183 Linkoeping, SWE) ,  IAKIMOV Tihomir (Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-58183 Linkoeping, SWE) ,  ZAKHAROV Alexei (MaxLab, Lund Univ., S-22100 Lund, SWE) ,  SYVAEJAERVI Mikael (Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-58183 Linkoeping, SWE) ,  YAKIMOVA Rositza (Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-58183 Linkoeping, SWE)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 57  ページ： 477-484  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルゴン雰囲気中で2000°CでSiCからのケイ素の昇華によって,4H-や6H-,3C-SiC基板のSi終端表面にグラフェンのエピタキシャル成長を行った。異なるSiCポリタイプ上のグラフェン層の形態の相違点を,主にステップバンチングプロセスの間の段丘面エネルギーの最小化に関係付けた。ケイ素昇華の一様性が,大面積の均質グラフェンを得るための決め手である。小さい基板表面粗さは低いステップ高さ分布を有する均一なステップバンチングをもたらし,その結果,成長したグラフェンの良好な品質をもたらす。3C-SiC(111)基板上で,均一で大きな面積のグラフェン単分子層(50×50μm²以上)が成長した。3C-と6H-SiCの表面挙動の類似性を示す。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭素材 ,  単分子層 ,  *化学蒸着 ,  基板 ,  ケイ素 ,  ポリタイプ ,  表面エネルギー ,  製品品質 ,  表面粗さ ,  昇華 ,  *炭化ケイ素 ,  ヘテロ接合 ,  *グラフェン

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  反応操作(単位反応)  (XE01040I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 3C-SiC ,  大面積 ,  単分子層 ,  グラフェン ,  成長 ,  SiC ,  タイプ