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J-GLOBAL ID：201302291379626423   整理番号：13A0595839

混合有機スズ(IV)カルコゲナイド:スピンコーティングにより堆積した分子からSn-S-Se半導体薄膜へ

Mixed Organotin(IV) Chalcogenides: From Molecules to Sn-S-Se Semiconducting Thin Films Deposited by Spin-Coating

著者 (12件)： BOUSKA Marek (Univ. Pardubice, Pardubice, CZE) ,  STRIZIK Lukas (Univ. Pardubice, Pardubice, CZE) ,  DOSTAL Libor (Univ. Pardubice, Pardubice, CZE) ,  RUZICKA Ales (Univ. Pardubice, Pardubice, CZE) ,  LYCKA Antonin (VUOS a.s., Pardubice, CZE) ,  BENES Ludvik (Univ. Pardubice, Pardubice, CZE) ,  VLCEK Milan (Inst. of Macromolecular Chemistry, Acad. of Sci. Czech Republic v.v.i., Prague, CZE) ,  VLCEK Milan (Univ. Pardubice, Pardubice, CZE) ,  PRIKRYL Jan (Univ. Pardubice, Pardubice, CZE) ,  KNOTEK Petr (Inst. of Macromolecular Chemistry, Acad. of Sci. Czech Republic v.v.i., Prague, CZE) ,  WAGNER Tomas (Univ. Pardubice, Pardubice, CZE) ,  JAMBOR Roman (Univ. Pardubice, Pardubice, CZE)
資料名： Chemistry - European Journal  (Chemistry - European Journal)
巻： 19  号： 6  ページ： 1877-1881  発行年： 2013年 
JST資料番号： W0744A  ISSN： 0947-6539  CODEN： CEUJED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二つの終端Sn-X(X=Se,Te)結合を有する一般式L₂Sn₂EX₂(L=2,6-(Me₂NCH₂)₂C₆H₃^-,E=S,Se,Te)の有機スズ(IV)カルコゲナイドを調製し,その分子構造を調べるとともに,そのスピンコートによる半導体膜の調製を検討した。[L-SnSe]₂(μ-S)は単一源の前駆体として有用であった。生成するカルコナイドの組成及びバンドギャップはスピンコートの速度に依存することが判った。1500rpmで得られたSn₄₂S₄₁Se₁₇の薄膜は不定形で,バンドギャップは結晶性SnSSeの1.60eVに近い1.79eVを示した。

シソーラス用語： スピンコーティング ,  *半導体薄膜 ,  *有機スズ化合物 ,  *カルコゲン化物 ,  バンドギャップ ,  電気伝導率 ,  分子構造

分類 (5件)： 塩  (CD01050V) ,  非晶質の電子構造一般  (BM02041I) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  分子の幾何学的構造一般  (BH05021S) ,  有機金属化合物一般  (CF09010N)

物質索引 (1件)： 2,6-ビス(ジメチルアミノメチル)ベンゼニド

タイトルに関連する用語 (8件)： 有機スズ ,  カルコゲナイド ,  スピンコーティング ,  堆積 ,  分子 ,  Sn ,  Se ,  半導体薄膜