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J-GLOBAL ID：201302291435146790   整理番号：13A1229039

プラズマ浸漬イオン注入法により水素化した結晶シリコンのエリプソメトリー研究

Ellipsometric study of crystalline silicon hydrogenated by plasma immersion ion implantation

著者 (5件)： SZEKERES A. (Inst. of Solid State Physics, 72 Tzarigradsko Chaussee Blvd., 1784 Sofia, BGR) ,  ALEXANDROVA S. (Dep. of Applied Physics, Technical Univ. of Sofia, Kl. Ohridski 8, 1797 Sofia, BGR) ,  PETRIK P. (MFA Inst. for Technical Physics and Materials Sci., TTK Res. Centre for Natural Sciences, Konkoly Thege Rd. 29-33 ...) ,  FODOR B. (MFA Inst. for Technical Physics and Materials Sci., TTK Res. Centre for Natural Sciences, Konkoly Thege Rd. 29-33 ...) ,  BAKALOVA S. (Inst. of Solid State Physics, 72 Tzarigradsko Chaussee Blvd., 1784 Sofia, BGR)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 281  ページ： 105-108  発行年： 2013年09月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 浅いプラズマイオン注入法により10¹⁵cm^-2までのいろいろなフルエンスで水素化したSi薄層の構造及び光学特性を分光エリプソメトリにより調べ,イオン及び注入誘起欠陥分布をシミュレーションにより調べた。注入は自然SiO₂を通してSi中へ進むと思われた。作製した構造物の組成及び誘電関数の挙動を調べるために二層光学モデルを適用した。自然酸化物の厚さは3nmであった。Si改質層の厚さは,特に最大フルエンスでは,それ以上のSiバルクへのH侵入を防ぐ高濃度水素化表面領域が増加するため,イオンフルエンスとともに23から14nmに減少した。約3.4及び4.2eVのSiバンド間遷移に関係した誘電関数の形のシフトがプロセス誘起引張応力により引き起こされることが分かった。改質Si領域は水素イオンの射影飛程よりもむしろイオン注入により生じた欠陥と関係していた。全体的な層改質は低レベルのアモルファス化(5.8%まで),構造欠陥発生,及び内部引張応力により評価できた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *イオン注入 ,  結晶 ,  *ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  *水素化物 ,  酸化 ,  *酸化膜 ,  誘電関数 ,  偏光解析法 ,  放射線フルエンス ,  *照射損傷 ,  光学定数 ,  光学ギャップ ,  深さプロフィル ,  点欠陥
準シソーラス用語： *プラズマ浸漬イオン注入 ,  分光偏光解析法

分類 (4件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  プラズマ応用  (BJ02110K) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ浸漬イオン注入 ,  水素化 ,  結晶シリコン ,  エリプソメトリー ,  研究