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J-GLOBAL ID：201302291573693328   整理番号：13A0245384

GaAs/InGaAs単一量子井戸における楕円量子ドットの異方性による散乱

Scattering due to anisotropy of ellipsoid quantum dots in GaAs/InGaAs single quantum well

著者 (9件)： JIN Dong-dong (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  JIANG Chao (National Center for Nanoscience and Technol., 11 Beiyitiao, Zhongguancun, Beijing 100190, CHN) ,  LI Guo-dong (National Center for Nanoscience and Technol., 11 Beiyitiao, Zhongguancun, Beijing 100190, CHN) ,  ZHANG Liu-wan (Dep. of Physics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  YANG Tao (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  LIU Xiang-lin (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  YANG Shao-yan (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  ZHU Qin-sheng (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...) ,  WANG Zhan-guo (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 113  号： 3  ページ： 033701-033701-5  発行年： 2013年01月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *量子井戸 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *量子ドット ,  *楕円体 ,  *散乱 ,  *埋込み【挿入】 ,  断面 ,  二次元電子ガス ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *異方性散乱 ,  *単一量子井戸

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  電子との衝突・散乱  (BH04030F)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  InGaAs ,  単一量子井戸 ,  楕円 ,  量子ドット ,  異方性 ,  散乱