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J-GLOBAL ID：201302291622910747   整理番号：13A0474967

Ge(111)上Siエピタキシャル層中の歪によるGe原子の混合

Strain induced intermixing of Ge atoms in Si epitaxial layer on Ge(111)

著者 (4件)： TOSAKA Aki (Nanosystem Sci., Graduate School of Nanobio Sciences, Yokohama City Univ., 22-2 Seto, Kanazawa-ku, Yokohama 236-0027 ...) ,  MOCHIZUKI Izumi (Nanosystem Sci., Graduate School of Nanobio Sciences, Yokohama City Univ., 22-2 Seto, Kanazawa-ku, Yokohama 236-0027 ...) ,  NEGISHI Ryota (Nanosystem Sci., Graduate School of Nanobio Sciences, Yokohama City Univ., 22-2 Seto, Kanazawa-ku, Yokohama 236-0027 ...) ,  SHIGETA Yukichi (Nanosystem Sci., Graduate School of Nanobio Sciences, Yokohama City Univ., 22-2 Seto, Kanazawa-ku, Yokohama 236-0027 ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 113  号： 7  ページ： 073511-073511-4  発行年： 2013年02月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  ウエハ【IC】 ,  *ケイ素 ,  *層 ,  *歪 ,  *混合 ,  有効質量 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  銀 ,  表面構造 ,  表面準位 ,  規模 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： Ge基板 ,  ナノスケール ,  引張歪 ,  角度分解光電子分光法 ,  *半導体エピタキシャル層

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属中の拡散  (BL06022C)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  Si ,  エピタキシャル層 ,  歪 ,  原子