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J-GLOBAL ID：201302291662155275   整理番号：13A1778633

オンチップ熱的試験のためのMOSFET温度センサ

MOSFET temperature sensors for on-chip thermal testing

著者 (2件)： REVERTER Ferran ,  ALTET Josep
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 203  ページ： 234-240  発行年： 2013年12月01日 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本誌は,金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)温度依存性のオンチップ熱的試験適用において温度センサに使い目的を持って,理論的および実験的に解析した。提案した解析は,被試験回路(CUT)により発生したオンチップ熱的変化に高感度をなるように,MOSFETの寸法とバイアス電流の選択ルールを提供する。これらのこれらの理論的予測は,シミュレーションと商用0.35μmCMOS技術で作られたMOSFETがもたらした実験データと対比した。MOSFETのシミュレーションおよび実験結果も寄生バイポーラ接合トランジスタ(BJT)を用いて得られる結果と比較した。このような比較は,MOSFETベースの温度センサは,オンチップ熱的試験に関連して,次の利点を提供することを示した。それらは,製造プロセスとの完全互換性があり,CUT周辺の必要な面積が少なく,CUTにより生じるオンチップ熱的変化により感度が高いことである。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *超小形回路技術 ,  *MOSFET ,  *温度センサ ,  温度依存性 ,  電流 ,  半導体プロセス ,  バイポーラトランジスタ
準シソーラス用語： *オンチップ ,  バイアス電流 ,  *バイポーラ接合トランジスタ ,  *半導体製造プロセス

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： オンチップ ,  熱的試験 ,  MOSFET ,  温度センサ