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J-GLOBAL ID：201302291859151379   整理番号：13A1591292

急速熱化学蒸着で成長させたSi(100)基板上のn型Ge層の特性評価

Characterization of n-type Ge layers on Si (100) substrates grown by rapid thermal chemical vapor deposition

著者 (8件)： KIL Yeon-ho ,  YANG Hyeon Deok ,  YANG Jong-han ,  PARK Ah Hyun ,  KANG Sukill ,  JEONG Tae Soo ,  KIM Taek Sung ,  SHIM Kyu-hwan
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 16  号： 6  ページ： 1405-1409  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 急速熱化学蒸着(RTCVD)を用いてp型Si(100)ウエハ(8in直径,5-15Ωcm抵抗率)上にリンドープn型Ge層を蒸着した。その表面形態は0.29nmの二乗平均(RMS)表面粗さのきわめて平滑面であった。高分解能X線回折(HR-XRD)データから計算した面内格子定数は,~0.47%の面内引張り歪に対応して0.5664nmであった。各位置に対するRaman GeピークはGeウエハからの引張り歪の存在を示唆している。~0.45%の引張り歪として面内歪を推定し,XRD解析とよく一致した。この試料についての初期光電流スペクトル実験により,引張り歪により誘起した直接ギャップの価電子帯分裂を確認する。Geの直接バンドギャップエネルギーE_Γ1の温度依存性は経験的Varshni表示式E_Γ1=0.864-5.49×10^-4T²/(T+296)で記述できる。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *薄膜成長 ,  化学蒸着 ,  ウエハ【IC】 ,  N型半導体 ,  *半導体薄膜 ,  キャラクタリゼーション ,  引張 ,  歪 ,  残留応力 ,  *格子歪 ,  *バンドギャップ ,  温度依存性 ,  X線回折 ,  Ramanスペクトル ,  顕微鏡観察 ,  スペクトロスコピー
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  直接バンドギャップ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 熱化学蒸着 ,  成長 ,  Si ,  Ge ,  特性評価