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J-GLOBAL ID：201302291948019484   整理番号：13A1682578

高k/金属のゲートスタックを有するMOSFET用の低温マイクロ波アニーリング

Low-Temperature Microwave Annealing for MOSFETs With High-k/Metal Gate Stacks

著者 (8件)： LEE Yao-Jen (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  TSAI Bo-An (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LAI Chiung-Hui (Chung Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Zheng-Yao (Chung Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSUEH Fu-Kuo (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  SUNG Po-Jung (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  CURRENT Michael I. (Current Scientific, CA, USA) ,  LUO Chih-Wei (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 34  号： 10  ページ： 1286-1288  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOSデバイスの性能を改良するために,シリコンの伝導バンドと価電子バンドエッジが近い金属対を使うことは有利である.本稿では,マイクロ波アニーリング又はRTA処理の何れかによってアニールされた高k/金属のゲートスタックを有するMOSデバイスを,調査及び比較することによってゲート第1処理を評価した。RTA処理後のEOT増加とドーパント活性化処理後の短チャネル効果は,低温マイクロ波アニーリングを使って,よく制御されるようである。加えて,RTA処理を使って観察されるTiNゲート電極に関する仕事関数シフトを,マイクロ波アニーリング処理によって抑制できる。従って,高k/金属のゲートスタックを有するMOSFETのゲート第1処理に関しては,マイクロ波アニーリングは有用な選択肢と考えられる。

シソーラス用語： *焼なまし ,  *MOSFET ,  RTA【熱処理】 ,  膜厚 ,  誘電体 ,  *マイクロ波加熱 ,  ゲート【半導体】 ,  *高k誘電体
準シソーラス用語： *EOT ,  アニーリング ,  *ゲートスタック

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲートスタック ,  MOSFET ,  低温 ,  マイクロ波 ,  アニーリング