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J-GLOBAL ID：201302292128002923   整理番号：13A1035262

スピンオン源のレーザドーピングによる選択的エミッタ形成

Selective emitter formation by laser doping of spin-on sources

著者 (3件)： PRATHAP P. ,  BARTRINGER J. ,  SLAOUI A.
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 278  ページ： 173-179  発行年： 2013年08月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピンオンドーパント源のレーザ(248nmのKrFエキシマレーザ)アニールによる制御されたドーパントプロフィルを有する選択的エミッタ(SE)の形成につき報告する。ドーパント拡散の半透明障壁層として,スピンオングラス(SoG),PECVD蒸着のSiNおよびSiO_xの材料を用いた。シリコン基板とドーパント源の層との間の界面に障壁層が存在するため,熱拡散の間での浅いエミッタのドーパントプロフィールが制御され,エッチバックのステップを避けることができた。本方法では,ドーパント源の単層を用いることで,浅くかつ選択的なエミッタの実現が可能となった。二次イオン質量分析を用い,レーザパラメータおよび障壁層膜厚に関連してのドーパント濃度および深さを分析した。リンのドーピングプロフィールが,適切なエミッタシート抵抗で,200nmまでの浅い領域で正確に制御されることが見出された。また,SiNおよびSoGは,浅くかつ選択的なエミッタの有効なリン拡散障壁として作用した。他方,比較的に薄いSiO_x障壁層は,比較的に低いレーザフルエンスにおいて,最良の電気特性を与えた。中程度のレーザフルエンスにおけるシリコン結晶のレーザ誘起損傷はわずかであり,また高エネルギーのときはシリコンによるエネルギー吸収の増大により,かなりの程度となることがわかった。中程度のレーザフルエンスで処理したシリコン表面では周期構造が観測された。結果は,障壁層の存在下におけるレーザフルエンスとの関係で,ドーパント拡散の物理的挙動について詳細に示した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *エミッタ【半導体】 ,  *フォトドーピング ,  レーザ照射 ,  エキシマレーザ ,  *レーザアニーリング ,  濃度分布 ,  *拡散障壁 ,  プラズマCVD ,  窒化ケイ素 ,  酸化ケイ素 ,  二次イオン質量分析 ,  *リン ,  シート抵抗 ,  フルエンス ,  レーザ損傷 ,  *太陽電池 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  ドーパント ,  不純物分布 ,  *ウエハ【IC】
準シソーラス用語： KrFエキシマレーザ ,  スピンオングラス ,  *レーザドーピング ,  レーザフルエンス ,  *Si基板

分類 (3件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： レーザドーピング ,  エミッタ