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J-GLOBAL ID：201302292203996654   整理番号：13A0495263

GaN薄膜のレーザリフトオフおよびそのフレキシブル発光ダイオードへの適用

Laser Lift-Off of GaN Thin Film and its Application to the Flexible Light Emitting Diodes

著者 (3件)： LEE Seung Hyun (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  PARK So Young (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  LEE Keon Jae (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8460  ページ： 846011.1-846011.6  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代照明向きのフレキシブル基板上のフレキシブルGaN LEDの作製を行った。通常のサファイア基板上に成長させた高品質GaN LEDを,非ウェット工程である308nm XeClレーザリフトオフを使用することにより,フレキシブルなポリイミド基板上に転送した。キャリア基板には熱解離接着テープと共にSU-8を使用した。SU-8はパッシベーションの役割も果たしている。リフトオフレーザのビーム形状は,転送されるGaN LEDに亀裂が生じないよう実験的に決定した。得られたフレキシブルLEDの特性は,通常のサファイア基板LEDと同等であった。

シソーラス用語： 装置 ,  部材 ,  *部品 ,  表示装置 ,  *発光ダイオード ,  *微細加工 ,  *窒化ガリウム ,  レーザ加工 ,  電流電圧特性 ,  フレキシブル基板 ,  *レーザビーム ,  紫外レーザ ,  フォトレジスト ,  ポリイミド ,  熱解離 ,  テープ
準シソーラス用語： SU-8 ,  *フレキシブルデバイス ,  リフトオフ加工 ,  *リフトオフ法 ,  レーザビーム加工 ,  熱解離テープ

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  薄膜 ,  レーザ ,  リフトオフ ,  発光ダイオード