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J-GLOBAL ID:201302292250474631   整理番号:13A0953842

シリコン上のGaNの異方的湾曲と塑性変形

Anisotropic bow and plastic deformation of GaN on silicon
著者 (13件):
資料名:
巻: 370  ページ: 278-281  発行年: 2013年05月01日 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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シリコン基板上のGaNを用いたトランジスタ構造の成長は,冷却時の引っ張り応力を補償しひびの発生を防ぐための歪み加工を必要とする。成長時の圧縮応力が高いものについては,厚いGaN層に対して柔軟な基板変形が起こることが要求される。in situ曲率測定,ex situ XRD,電子デバイス測定などのいくつかの方法により,異方的湾曲,物質定数,素子特性に対して,異なる基板厚みと基板型が影響することを実証した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
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