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J-GLOBAL ID:201302292294254949   整理番号:13A1785808

Ti箔上のCu(In,Ga)Se2太陽電池のためのMo二重層バックコンタクトの特性

Characteristics of molybdenum bilayer back contacts for Cu(In,Ga)Se2 solar cells on Ti foils
著者 (11件):
資料名:
巻: 548  ページ: 608-616  発行年: 2013年12月02日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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モリブデンバックコンタクトの特性は金属基板上のCu(In,Ga)Se2(CIGS)太陽電池の性能に決定的に重要なものである。この研究でわれわれはTi箔上にスパッタしたMo二重層バックコンタクトの性質を調べた。下層のMo層における組織形状,電気抵抗,光学的反射,残留機械歪は堆積中の動作圧力を変えることで修正を受ける。動作圧力には0.27Paから4.00Paまでの範囲を用いた。上層のMo層は圧力0.13Pa一定の条件で堆積させた。Mo単層の場合と異なり,Mo二重層を用いると光学反射率やバックコンタクトの電気抵抗を損なうことなくMo/CIGS界面における機械的歪を制御できることを検証した。下層Mo層の組織形態は上層のMo層の成長に影響し,結果としてバックコンタクト表面の組織形態を修正できることも知られた。このことがCIGS層の結晶配向の変化をもたらしていた。その結果太陽電池の特性は下層のMo層の堆積圧力の関数として強く変化する。2.93Paで堆積した下層Mo層の成長は下層Mo層を0.27Paで堆積したものと比べ太陽電池の変換効率は1.5倍改善できる。改善したMo二重層バックコンタクトを用いることでNa添加や反射防止コーティングなしで最大太陽電池効率10%が得られた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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太陽電池 

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