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J-GLOBAL ID:201302292299851449   整理番号:13A0959402

多孔性炭化ケイ素基板上の可視光不感紫外線検出器

Visible-blind ultraviolet photodetectors on porous silicon carbide substrates
著者 (2件):
資料名:
巻: 48  号:ページ: 2406-2408  発行年: 2013年06月 
JST資料番号: B0954A  ISSN: 0025-5408  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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高信頼性UV検出器を多孔性炭化ケイ素基板上に合成した。試料の光学的性質は電流密度の増加に伴い強化された。最適化試料は入射紫外線に高い感度を示した。高信頼性可視光不感紫外線(UV)検出器の,炭化ケイ素(PSC)基板上での合成に成功した。高応答性と高光伝導利得が,最適化PSC基板上で合成された金属-半導体-金属紫外線検出器において観測された。PSC試料を,種々のエッチング電流密度を用いたn型六方晶系炭化ケイ素(6H-SiC)基板のUV支援光電気化学エッチングによって調製した。光学的な結果より,電流密度がPSC基板の多孔性と均一性を制御する突出したエッチングパラメータであることがわかった。高多孔性基板を,その光吸収を強化するために適当なエッチング電流密度を用いて合成し,それによってこの基板によるUV検出器の感度が向上した。最適化PSC上に合成されたデバイスの電気化学的特性は,入射照射線への高い感度及び応答性を示した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
分類
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半導体のルミネセンス  ,  測光と光検出器一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
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