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J-GLOBAL ID:201302292349952225   整理番号:13A0234630

有機半導体中の電荷キャリア輸送と再結合に及ぼすGauss不規則度の影響

Effects of Gaussian disorder on charge carrier transport and recombination in organic semiconductors
著者 (3件):
資料名:
巻: 209  号: 12  ページ: 2354-2377  発行年: 2012年12月 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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Gauss状態密度を持つ不規則有機半導体中の電荷輸送と励起子発生に関する筆者らの理解の最近の進歩を,有機発光ダイオード(OLED)に重点を置いて論じた。数値的に厳密な三次元シミュレーションに基づいて,有機半導体中の実効移動度と励起子形成率のモデルの開発に焦点を当てた。ゲスト分子に及ぼす捕獲の影響を含める方法と,励起子発生を記述する方法を論じた。三次元モデリングでは,Gauss型の電子及び正孔状態密度を持つ材料に基づくOLEDの実際の電流密度はフィラメント状である。単層OLEDへ応用して,電流密度と発光効率の予測モデリングが可能であることを示した。
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分類 (1件):
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半導体と絶縁体の電気伝導一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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