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J-GLOBAL ID：201302292362593625   整理番号：13A1835458

半導体実装 3次元半導体の技術及び業界動向

資料名： エレクトロニクス実装技術  (Electronic Packaging Technology)
巻： 29  号： 12  ページ： 22-34  発行年： 2013年11月20日 
JST資料番号： L0322A  ISSN： 1342-2839  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： エレクトロニクス製品の小型化,軽量化,システム化に対しては,3次元半導体,すなわち貫通電極(TSV),3D-IC,シリコンインタポーザ等の技術の重みがますます高まっている。本稿では,(株)ザイキューブの試作サービスの取り組みについて,開発課題と取り組み,製造関係技術等を最新の技術動向とデータとともに示し,3次元半導体の多彩で急速なこの1年の動きをまとめた。具体的には,(1)Samsung社のV-NAND,(2)Xilinx社とTSMC社のFPGA 3D IC量産化,(3)Micron社のHybrid Memory Cube関係の動きについて述べた。

シソーラス用語： *バイアホール ,  多層配線 ,  固体回路部品 ,  *高密度実装
準シソーラス用語： *TSV【配線】 ,  *インターポーザ

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 実装 ,  3次元 ,  動向