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J-GLOBAL ID：201302292392354455   整理番号：13A0937217

正孔遮断酸化チタン/珪素ヘテロ接合と光起電力への応用

Hole-blocking titanium-oxide/silicon heterojunction and its application to photovoltaics

著者 (6件)： AVASTHI Sushobhan (Princeton Inst. for the Sci. and Technol. of Materials (PRISM), Princeton Univ., New Jersey 08544, USA) ,  MCCLAIN William E. (Princeton Inst. for the Sci. and Technol. of Materials (PRISM), Princeton Univ., New Jersey 08544, USA) ,  MAN Gabriel (Princeton Inst. for the Sci. and Technol. of Materials (PRISM), Princeton Univ., New Jersey 08544, USA) ,  KAHN Antoine (Princeton Inst. for the Sci. and Technol. of Materials (PRISM), Princeton Univ., New Jersey 08544, USA) ,  SCHWARTZ Jeffrey (Princeton Inst. for the Sci. and Technol. of Materials (PRISM), Princeton Univ., New Jersey 08544, USA) ,  STURM James C. (Princeton Inst. for the Sci. and Technol. of Materials (PRISM), Princeton Univ., New Jersey 08544, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 102  号： 20  ページ： 203901-203901-4  発行年： 2013年05月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 酸化チタン ,  ケイ素 ,  *ヘテロ接合 ,  *光起電力 ,  半導体接合 ,  *化合物半導体 ,  X線光電子スペクトル
準シソーラス用語： *ワイドバンドギャップ半導体

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 正孔 ,  遮断 ,  酸化チタン ,  珪素 ,  ヘテロ接合 ,  光起電力 ,  応用