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J-GLOBAL ID：201302292394384602   整理番号：13A1042665

カーボンナノチューブの強磁場中合成による構造制御:配向とキラリティー

著者 (3件)： 坂口あゆみ (信州大 理) ,  浜崎亜富 (信州大 理) ,  尾関寿美男 (信州大 理)
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 93rd  号： 3  ページ： 769  発行年： 2013年03月08日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 磁場中で調製したマルチウォールカーボンナノチューブは磁場の印加方向と平行に配向した。配向度はサイズに依存し,磁気配向エネルギーが弾性エネルギーを超えるときに配向し始めることから,磁場によってその成長方向を変えたと考えられる。シングルウォールカーボンナノチューブの成長時に磁場を印加すると,10T磁場では直径が小さくなった。磁場はカーボンナノチューブの構造を制御するために有効であることがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *多層カーボンナノチューブ ,  *強磁場 ,  *制御 ,  分子配向 ,  性質 ,  磁場効果 ,  エネルギー ,  配向
準シソーラス用語： *構造制御 ,  キラリティ ,  弾性エネルギー ,  磁場配向

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： カーボンナノチューブ ,  強磁場 ,  構造制御 ,  配向 ,  キラリティー