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J-GLOBAL ID:201302292534929230   整理番号:13A0908075

HgCdTe逆転層の磁気輸送特性について

Magnetotransport property of HgCdTe inversion layer
著者 (10件):
資料名:
巻: 61  号:ページ: 027301-1-027301-5  発行年: 2012年 
JST資料番号: B0628A  ISSN: 1000-3290  CODEN: WLHPA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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HgCdTeベースの金属-絶縁体-半導体フィールド効果トランジスタを低価格液相エピタキシー技術によって製造する。ρ_(xx)とρ_(xy)の量子Hallプラトーにおける明確なSdH振動を観測し,それは良いトランジスタである事を示す。磁気抵抗ほぼゼロ場を測定することによって,著者らは標本に弱い反局在化効果がある事を観察し,比較的強い回転軌道結合を示唆する。実験データはILP理論によく適合できる。適合-獲得の回転-分離エネルギーは電子密度の増大に伴って増加し,最大9.06meVにまで達する。得られた回転-分離エネルギーから,著者らは回転軌道結合パラメータを計算し,それが電子密度の増大に伴って増加する事を発見した。それは,広い量子井戸における観測に反する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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分類 (1件):
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数理物理学 
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