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J-GLOBAL ID：201302292580151790   整理番号：13A0992443

鋼基板上の同時蒸着Cu(In,Ga)Se₂デバイス中のFeとNaの拡散

Diffusion of Fe and Na in co-evaporated Cu(In,Ga)Se₂ devices on steel substrates

著者 (6件)： PLATZER-BJOERKMAN C. (Ångstroem Solar Center, Solid State Electronics, Uppsala Univ., Box 534, SE-751 21 Uppsala, SWE) ,  JANI S. (Sandvik Materials Technol., Sandviken, SWE) ,  WESTLINDER J. (Sandvik Materials Technol., Sandviken, SWE) ,  LINNARSSON M.k. (Integrated Devices and Circuits, School of Information and Communication Technol., KTH Royal Inst. of Technol. ...) ,  SCRAGG J. (Ångstroem Solar Center, Solid State Electronics, Uppsala Univ., Box 534, SE-751 21 Uppsala, SWE) ,  EDOFF M. (Ångstroem Solar Center, Solid State Electronics, Uppsala Univ., Box 534, SE-751 21 Uppsala, SWE)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 535  ページ： 188-192  発行年： 2013年05月15日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,筆者らは二次イオン質量分光計を使用するCr拡散障壁を持つ,および持たないステンレス鋼基板からCu(In,Ga)Se₂への不純物拡散を研究する。基板からの不純物拡散の明白な増加がNaFを有するサンプルで観測される。筆者らのマイクロパイロットラインを使用して作られたデバイスはFe濃度,Na濃度と効率の間で予想された相関を示すが,鋼基板に対して得られた最も高いデバイス効率はガラス基板基準よりもまだ僅かに下である。筆者らは観察されたデバイス性能の理由を検討する。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： セレン化インジウム銅 ,  ガリウム化合物 ,  *セレン化物 ,  銅化合物 ,  *同時蒸着 ,  ステンレス鋼 ,  *不純物拡散 ,  二次イオン質量分析 ,  鉄 ,  ナトリウム
準シソーラス用語： セレン化ガリウム銅

分類 (1件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 鋼 ,  同時蒸着 ,  Cu ,  Ga ,  Fe ,  Na ,  拡散