文献

J-GLOBAL ID：201302292652143160   整理番号：13A0832344

有機ハイブリッド平面バルクヘテロ接合によって実現された高性能近赤外光感受性有機電界効果トランジスタ

High performance near infrared photosensitive organic field-effect transistors realized by an organic hybrid planar-bulk heterojunction

著者 (9件)： PENG Yingquan (Inst. of Microelectronics, School of Physical Sci. and Technol., Lanzhou Univ., South Tianshui Road 222#, Lanzhou ...) ,  PENG Yingquan (Key Lab. for Magnetism and Magnetic Materials of the Ministry of Education, Lanzhou Univ., South Tianshui Road 222# ...) ,  LV Wenli (Inst. of Microelectronics, School of Physical Sci. and Technol., Lanzhou Univ., South Tianshui Road 222#, Lanzhou ...) ,  YAO Bo (Inst. of Microelectronics, School of Physical Sci. and Technol., Lanzhou Univ., South Tianshui Road 222#, Lanzhou ...) ,  FAN Guoying (Inst. of Microelectronics, School of Physical Sci. and Technol., Lanzhou Univ., South Tianshui Road 222#, Lanzhou ...) ,  CHEN Deqiang (Inst. of Microelectronics, School of Physical Sci. and Technol., Lanzhou Univ., South Tianshui Road 222#, Lanzhou ...) ,  GAO Pengjie (Inst. of Microelectronics, School of Physical Sci. and Technol., Lanzhou Univ., South Tianshui Road 222#, Lanzhou ...) ,  ZHOU Maoqing (Inst. of Microelectronics, School of Physical Sci. and Technol., Lanzhou Univ., South Tianshui Road 222#, Lanzhou ...) ,  WANG Ying (Inst. of Microelectronics, School of Physical Sci. and Technol., Lanzhou Univ., South Tianshui Road 222#, Lanzhou ...)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 14  号： 4  ページ： 1045-1051  発行年： 2013年04月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機フォトダイオードと比べて,光応答性有機電界効果トランジスタ(photOFETs)は,大きな感受性と低ノイズを示す。近赤外(NIR)で作動する従来の単一層構造に基づくphotOFETsの性能は,活性チャネル材料の低いキャリア移動度に起因して一般的に貧弱である。筆者らは,ハイブリッド平面バルクヘテロ接合(HPBHJ)の構造を有してNIR領域で作動する高性能のphotOFETsを実証する。[鉛フタロシアニン(PbPc),又は銅フタロシアニン(CuPc)の]単層構造,CuPc/PbPcの単平面ヘテロ接合(PHJ),CuPc/PbPc/3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物(PTCDA),及びCuPc/PbPc:PTCDAのHPBHJの構造を有するPhotOFETsを作成して特性化した。HPBHJ構造を有するphotOFETは,他の構造と比べてすぐれた性能を示し,808nmの波長のNIR光に対する322mA/Wの大きな光応答性,約50%の大きな外部量子効率,及び9.4×10²の最大光感受性を示した。HPBHJ構造を有するphotOFETの高性能は,大きな励起子解離効率とすぐれた正孔輸送能に起因する。50nmの厚いCuPc層に対してPbPc:PTCDA層の最適な厚みが約30nmであることが見出された。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *FET【トランジスタ】 ,  近赤外線 ,  キャリア移動度 ,  フタロシアニン錯体 ,  鉛錯体 ,  量子効率 ,  輸送現象 ,  有機-無機ハイブリッド
準シソーラス用語： *バルクヘテロ接合 ,  *有機電界効果トランジスタ ,  鉛フタロシアニン ,  外部量子効率 ,  正孔輸送

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y)

物質索引 (2件)： 銅フタロシアニン ,  ペリレンテトラカルボン酸二無水物

タイトルに関連する用語 (5件)： バルクヘテロ接合 ,  高性能 ,  近赤外 ,  光感受性 ,  有機電界効果トランジスタ