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J-GLOBAL ID：201302292738202630   整理番号：13A1202087

SrBi₂Ta₂O₉セラミックの電気伝導性

Electrical conductivity of SrBi₂Ta₂O₉ ceramics

著者 (2件)： KAJEWSKI D. ,  UJMA Z.
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 39  号： 7  ページ： 8213-8218  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常の固相反応法を適用してAurivillius SrBi₂Ta₂O₉(SBT)セラミックを作製した。粒構造および化学量論性を,エネルギー分散X線分光分析(EDS)搭載走査電子顕微鏡を用いて調べた。X線回折により,SBTは格子定数がa=5.486Å,b=5.497Åおよびc=24.91Åの斜方晶構造であることが明らかになった。インピーダンス分光法により誘電特性を測定した。その結果,強い低周波誘電分散の存在が観測された。この発生は,酸素空孔などのイオン化空間電荷キャリアの存在に帰せられた。等価回路に基づいて誘電緩和を決定した。種々の電気的性質の温度依存性を記述,検討した。粒電気伝導率の熱活性化エネルギーは高温領域では低く(T>328.5°C,E_a-ht=0.23eV),低温領域では高かった(T<328.5°C,E_a-lt=0.78eV)。さらに,局所導電性原子間力顕微鏡法を用い,局所電気伝導率を測定した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ストロンチウム化合物 ,  *タンタル酸塩 ,  ビスマス化合物 ,  固相反応 ,  *微細構造 ,  結晶構造 ,  格子定数 ,  斜方晶系 ,  誘電性 ,  *強誘電体 ,  層状化合物 ,  空格子点 ,  キャリア ,  *電気的性質 ,  電気伝導率 ,  温度依存性 ,  等価回路 ,  活性化エネルギー ,  Arrheniusの式 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  電子顕微鏡観察 ,  X線回折分析 ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  周波数依存性
準シソーラス用語： タンタル酸ビスマスストロンチウム ,  微細組織 ,  誘電特性 ,  Aurivillius相 ,  誘電分散 ,  酸素空孔 ,  電荷キャリア ,  走査電子顕微鏡法 ,  原子間力顕微鏡法 ,  導電性原子間力顕微鏡

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (2件)： セラミック ,  電気伝導性