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J-GLOBAL ID：201302293063206220   整理番号：13A0015152

ジナフト[2,3-b:2’,3’-f]チエノ[3,2-b]-チオフェンの大気安定有機半導体を使ったフレキシブルアクティブマトリクス有機発光ダイオードディスプレイ

Flexible Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode Display Using Air-Stable Organic Semiconductor of Dinaphtho[2,3-b:2′,3′-f]thieno[3,2-b]-thiophene

著者 (6件)： FUJISAKI Yoshihide (Japan Broadcasting Corp. (NHK), Tokyo, JPN) ,  NAKAJIMA Yoshiki (Japan Broadcasting Corp. (NHK), Tokyo, JPN) ,  TAKEI Tatsuya (Japan Broadcasting Corp. (NHK), Tokyo, JPN) ,  FUKAGAWA Hirohiko (Japan Broadcasting Corp. (NHK), Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO Toshihiro (Japan Broadcasting Corp. (NHK), Tokyo, JPN) ,  FUJIKAKE Hideo (Japan Broadcasting Corp. (NHK), Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 12  ページ： 3442-3449  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペンタセンは最も一般的な有機半導体(OSC)材料でアクティブマトリクス(AM)バックプレーンに使われてきたが,動作安定性と大気中の安定性が不十分である。大気に安定なジナフトチエノチオフェン(DNTT)を使ったTFTで駆動するフレキシブルAM OLEDディスプレイを開発した。DNTTとオレフィン型ゲート絶縁材料の組み合わせは良好な界面特性を示し,トップコンタクトTFTは0.8cm²/V・sの高い移動度,ほぼゼロのV_ON,無視出来るヒステリシスという良好な電気特性を示した。高性能ボトムコンタクトTFTを作るために効果的なキャリア注入を可能にするソース/ドレインコンタクトへの表面改質を調べた。製作した短チャネルTFTはホール移動度0.5cm²/V・s,サブ閾値スロープ0.31で環境的にも動作でも安定である。AMバックプレーンに蛍光OLEDデバイスを集積して5インチのOLEDディスプレイを製作した。DNTTのOTFT駆動によって300cd/cm²を超えるルミネセンスを達成した。

シソーラス用語： フラットパネルディスプレイ ,  酸化膜 ,  *有機半導体 ,  薄膜トランジスタ ,  発光ダイオード ,  アクティブマトリックス ,  素子構造 ,  電流電圧特性 ,  特性 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： TFT【トランジスタ】 ,  *フレキシブルディスプレイ ,  伝達特性 ,  *有機LED

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  表示機器  (NC06030Q)

物質索引 (1件)： ジナフトチエノチオフェン

タイトルに関連する用語 (6件)： チオフェン ,  大気 ,  有機半導体 ,  アクティブマトリクス ,  有機発光ダイオード ,  ディスプレイ