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J-GLOBAL ID：201302293065501289   整理番号：13A1304903

室温における非ドープZnOナノロッドの格子間欠陥誘起強誘電性

Interstitial Defects Induced Ferroelectricity in Undoped ZnO Nanorods at Room Temperature

著者 (2件)： GHOSH Moumita (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND) ,  RAO G. Mohan (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND)
資料名： Science of Advanced Materials  (Science of Advanced Materials)
巻： 5  号： 7  ページ： 733-739  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： W2374A  ISSN： 1947-2935  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新材料の開発研究の一環として,本論文では,ZnOナノロッドにおける室温強誘電性を実現するための簡便な手法を報告した。異なるプロセスにより作製した二種類のナノロッドについて,系統的な比較研究を行なった。白金基板上にゾル-ゲル法によりin situ成長させたZnOナノロッドは,強誘電挙動を示した。反対に,最初ゾル-ゲル法によって成長させ,その後で白金基板上にスピンコートしたZnOナノロッドは強誘電挙動を示さなかった。X線回折から,両試料は,部分的に(002)および(100)面配向していることを確認した。光ルミネセンススペクトル解析により。Pt基板とZnナノロッド間の大きい格子不整合に起因する酸素空格子点/亜鉛格子間原子,および[002]に沿う優先的なZnO成長が上記の現象を誘起していることを明らかにした。圧電応答力顕微鏡観察に加えて,容量電圧特性およびP-Eヒステリシスループからも,この解釈を支持する結果を得た。

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  *ナノロッド ,  ゾル-ゲル法 ,  基板 ,  白金 ,  実験 ,  スピンコーティング ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  結晶方位 ,  *光ルミネセンス ,  格子不整合 ,  空格子点 ,  格子間原子 ,  *強誘電性 ,  力顕微鏡 ,  容量電圧特性 ,  ヒステリシス
準シソーラス用語： in situ実験 ,  圧電応答力顕微鏡 ,  酸素空格子点

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 室温 ,  ドープ ,  ZnOナノロッド ,  格子 ,  欠陥 ,  誘起 ,  強誘電性