文献

J-GLOBAL ID：201302293089028070   整理番号：13A1323536

表面偏析測定用の高焼なまし温度におけるCu結晶の0.1at.%In拡散ドーピング

The diffusion doping of Cu crystals with 0.1at.% In at high annealing temperatures for surface segregation measurements

著者 (3件)： MADITO M.j. ,  SWART H.c. ,  TERBLANS J.j.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 542  ページ： 186-191  発行年： 2013年09月02日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶Cu中のIn偏析を調べるために,低濃度のInをドープした。In/Cu薄膜をX線回折とAuger分光法により調べ,熱処理時のCu_xIn_y相の形成とIn/Cu層の表面へのIn偏析を示した。In/Cu薄膜中のCu_xIn_yの形成は系の融点が純Inの融点(156.6°C)からCu_xIn_yの遥かに高い融点への変化に対応した。In/Cu薄膜中の相転移の利用は,In相やCu_xIn_y相を融解せずに高い焼なまし温度でCu結晶にIn(≒0.1at.%)をドープする有望な方法であることが分かった。さらに,低濃度のIn(≒0.1at.%)をCu結晶にドープして本方法を立証した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *表面偏析 ,  焼なまし ,  *ドーピング ,  *インジウム ,  銅 ,  Augerスペクトル ,  多結晶 ,  融点
準シソーラス用語： X線回折パターン ,  拡散ドーピング

分類 (1件)： 金属の格子欠陥  (BK12030F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 表面偏析 ,  焼なまし温度 ,  Cu ,  結晶 ,  拡散 ,  ドーピング