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J-GLOBAL ID：201302293182732674   整理番号：13A0143849

パルス電着AgGaSe₂膜の特性

Characteristics of pulse electrodeposited AgGaSe₂ films

著者 (4件)： MURUGAN S. (AVC Coll. (Autonomous), Dep. of Physics, Mannanpandal, 609001, Mayiladuthurai, IND) ,  DHANAPANDIAN S. (Annamalai Univ., Dep. of Physics, Chidambaram, IND) ,  MANOHARAN C. (Annamalai Univ., Dep. of Physics, Chidambaram, IND) ,  MURALI K. R. (CSIR-CECRI, ECMS Div., Karaikudi, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 24  号： 2  ページ： 483-488  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,AgGaSe₂膜を堆積するために,初めてパルス電着法を用いた。膜を室温でAnalar級10mM硝酸銀,10mM硝酸ガリウム,そして10mM SeO₂を含む浴槽から堆積させた。堆積電圧を0.68V(SCE)に維持した。酸化膜被覆ガラス基板(5.0 ohm/sq)を基板として用いた。デューティサイクルを6-50%の範囲で変化させた。種々のデューティサイクルで堆積した薄膜のXRDプロファイルはAgGaSe₂に対応するピークを示唆する。原子間力顕微鏡研究から表面ラフネスはデューティサイクルと共に0.95から1.25nmまで増加した。透過スペクトルは干渉縞を示した。2.71の屈折率が600-1000nmの波長範囲で観察された。電気化学インピーダンス研究は単一半円を示唆した。粒子境界抵抗はデューティサイクルの増加と共に減少した。Copyright 2012 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 太陽電池 ,  *化合物半導体 ,  セレン化物 ,  銀化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *電着 ,  *パルス ,  硝酸銀 ,  酸化セレン ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  干渉縞 ,  屈折率
準シソーラス用語： パルス電着

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (1件)： パルス電着