文献

J-GLOBAL ID：201302293237364661   整理番号：13A0991324

Snベースの保護二分子層で被覆された,色素増感太陽電池の光アノード基板としてのニッケル基板

Nickel substrate covered with a Sn-based protection bi-layer as a photoanode substrate for dye-sensitized solar cells

著者 (4件)： HUANG Yu-ting (Dep. of Chemical Engineering, National Chung Hsing Univ., Taichung 402, Taiwan) ,  HUANG Yu-ting (Dep. of Mechanical Engineering, The Univ. of Hong Kong, Hong Kong) ,  FENG Shien-ping (Dep. of Mechanical Engineering, The Univ. of Hong Kong, Hong Kong) ,  CHEN Chih-ming (Dep. of Chemical Engineering, National Chung Hsing Univ., Taichung 402, Taiwan)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 99  ページ： 230-237  発行年： 2013年06月01日 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ni箔上のSnベースの保護二分子膜被覆により,Niは色素増感太陽電池(DSSC)の良好な光アノード基板となる。最初に,酸化を防止するためにNi表面にSn層を電気めっきした。次に,TiO₂の高温焼結の後,Sn層をSnO₂及びNi-Sn金属間化合物の二分子層に変換した。p型Ni酸化層とは異なり,上部のn型SnO₂層では,TiO₂メソ多孔性膜から導電性Ni基板への電子移動が可能になる。これは伝導バンドのエネルギーレベルがTiO₂と良好に一致するからである。さらに,界面のNi-Sn金属間化合物は電子移動を促進する優れた電導体である。めっき電流密度と時間を慎重に制御することで,平滑な表面形態を持つ厚さ1.2μmのSn層が形成され,これがNi基板上の最適な保護層であることを確認した。得られたDSSCのエネルギー変換効率は,AM 1.5の背面照明の下,10mA/cm²の短絡電流密度,0.643Vの開路電圧,及び0.689のフィルファクタで4.422%に達した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *アノード ,  *光電極 ,  二分子層 ,  *保護膜 ,  被覆材 ,  電気めっき ,  酸化チタン ,  酸化スズ ,  金属間化合物 ,  *スズ合金 ,  *ニッケル含有合金 ,  材料 ,  電子移動 ,  伝導バンド ,  エネルギー準位 ,  滑面 ,  エネルギー変換効率 ,  短絡電流 ,  電流密度 ,  電圧 ,  電流電圧特性 ,  表面構造 ,  電子顕微鏡観察 ,  X線光電子スペクトル
準シソーラス用語： 色素増感太陽電池 ,  *光アノード ,  *ニッケル電極 ,  保護層 ,  二酸化チタン ,  二酸化スズ ,  メソ多孔質体 ,  短絡電流密度 ,  開路電圧 ,  フィルファクタ ,  走査電子顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡観察

分類 (3件)： 電極過程  (CB07040U) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： Sn ,  二分子層 ,  色素増感太陽電池 ,  光アノード ,  ニッケル