文献

J-GLOBAL ID：201302293401016769   整理番号：13A0014020

永久磁石膜の直流バイアス磁界を用いたチューナブル磁気デバイスの基礎検討

Fundamental Study on Tunable RF Magnetic Devices Using DC Bias Magnetic Field Generated by Permanent Magnet Film

著者 (4件)： 結城恵 (信州大学スピンデバイステクノロジーセンター) ,  曽根原誠 (信州大学スピンデバイステクノロジーセンター) ,  佐藤敏郎 (信州大学スピンデバイステクノロジーセンター) ,  池田賢司 (太陽誘電株式会社)
資料名： Journal of the Magnetics Society of Japan  (Journal of the Magnetics Society of Japan)
巻： 36  号： 3  ページ： 229-234 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： Z0944A  ISSN： 1882-2924  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 携帯電話の複数機能に対応するチューナブルインダクタとして高透磁率軟磁性膜/永久磁石膜利用型デバイスを提案し,コスプレーナ型チューナブル共振器を試作して原理を検証した。一軸磁気異方性軟磁性膜の透磁率の可変原理を示し,終端短絡コスプレーナ型チューナブル共振器に導入した永久磁石膜/軟磁性膜の分割構造積層磁性膜の構造を示した。コスプレーナ型チューナブル共振器の反射係数を測定し,共振周波数の変化を測定した。軟磁性膜バイアス磁界の空間分布を解析した。コスプレーナ型チューナブル共振器の特性を評価し最大でも7%程度のインダクタンスの変化しか得られなかったと述べた。永久磁石膜の角型比低下やデバイス構造等検討を進めると述べた。

シソーラス用語： 携帯電話 ,  *磁性部品 ,  電子部品 ,  永久磁石 ,  *磁性薄膜 ,  *インダクタ ,  軟磁性材料 ,  共振周波数
準シソーラス用語： *磁気デバイス

分類 (1件)： 磁性材料  (NA04040H)

引用文献 (6件)：

• 1) S. Mizuta, M. Nakazawa, K. Takizawa, T. Sato, K. Yamasawa, Y. Miura, Y. Miyake, M. Akie, Y. Uehara, M. Munakata, and M.Yagi: J. Magn. Soc. Jpn, 32, 3, pp.376-381 (2008).
• 2) K. Okada, H. Sugawara, and K. Masu: IEICE Tech. Report, 105, 258, pp.45-50 (2005).
• 3) M.E. Bakkali, F. Chan Wai Po, E. De Foucauld, B.Viala, and J.P. Michel: Microelectronics Journal, 42, 1, pp.233-238 (2011).
• 4) Bijoy K. Kuanr, V. Veerakumar, K. Lingam, S.R. Mishra, Alka V.Kuanr, R.E. Camley, and Z. Celinski:, IEEE Trans. Magn., 45, 10, pp.4226-4229 (2009).
• 5) K. Ikeda, T. Suzuki, and T. Sato: INTERMAG 2009, BS-07, (2009).

タイトルに関連する用語 (6件)： 永久磁石 ,  直流 ,  バイアス磁界 ,  チューナ ,  磁気デバイス ,  基礎